SamsungがTSMCに先駆け、3nmプロセスでのチップ生産を開始したと発表しました。
第1世代の3nmプロセスは5nmプロセスに比べて45％低消費電力でかつ23％性能が高く、第2世代以降はさらに改善されるとのことです。
世界初のGAA FETでの3nmプロセスチップ生産を開始したSamsung
Samsungは2022年6月30日に同社のブログを更新し、3nmプロセスでのチップ生産を開始したと発表しました。
このプロセスの特徴は、チャネル部分の全側面がゲートで囲まれたGAA（Gate-All-Around） FETを採用した点です。
教科書的なトランジスタが1面のみ、現在の先端プロセスで主流であるFinFETが3面なのに対し、GAA FETは4面がゲートに囲まれており、FinFETよりもさらに駆動力が向上しています。
Samsungによると、第1世代のSamsung 3nmプロセスは同社の5nmプロセスと比較し、45％の消費電力削減と23％の性能向上、16％の面積縮小を達成しているとのことです。
第2世代以降はさらに性能が向上
Samsungは今後も3nmプロセスを改善し、第2世代では5nmプロセスに対し消費電力を50％、性能を30％、面積を35％削減することを目標にしています。
ただ、これらの比較はすべて5nm比でおこなわれており、Snapdragon 8 Gen 1などが採用する4nmプロセスとの比較はされていません。
また、Googleの第2世代TensorチップはSamsungが生産するといわれていますが、今回発表された3nmプロセスではなく4nmプロセスでの生産と予想されています。